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【亚博官网】MOCVD技术在光电薄膜方面的应用及其最新进展
时间:2021-05-31 02:15 点击次数:
本文摘要:一、章节 近年来,随着半导体工业的发展以及高速光电信息时代的到来,LPE、VPE等技术在半导体业生产中的起到更加小;MBE与MOCVD技术比起,由于其设备简单、价格更加便宜,生长速度慢,且呼吸困难pC-宽所含低蒸汽压元素(如P)的化合物单晶,不应于工业生产。而金属有机物化学气相淀积(MOCVD),1968年由美国洛克威公司的Manasevit等人明确提出制取化台物单晶薄膜的一项新技术;到80年代初以求实用化。

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一、章节  近年来,随着半导体工业的发展以及高速光电信息时代的到来,LPE、VPE等技术在半导体业生产中的起到更加小;MBE与MOCVD技术比起,由于其设备简单、价格更加便宜,生长速度慢,且呼吸困难pC-宽所含低蒸汽压元素(如P)的化合物单晶,不应于工业生产。而金属有机物化学气相淀积(MOCVD),1968年由美国洛克威公司的Manasevit等人明确提出制取化台物单晶薄膜的一项新技术;到80年代初以求实用化。经过近20年的飞速发展,沦为目前半导体化台物材料制取的关键技术之一。普遍应用于还包括半导体器件、光学器件、气敏元件、超导薄膜材料、铁电/铁磁薄膜、高介电材料等多种薄膜材料的制取。

  二、MOCVD的主要技术特点  国内外所生产的MOCVD设备,大多使用气态源的运送方式,展开薄膜的制取。气态源MOCVD设备,将MO源以气态的方式输送到反应室,运送管道里运送的是气体,对送到反应室的MO源流量也以掌控气体流量来展开掌控。

因此,它对MO源先体明确提出不应不具备蒸气压高、热稳定性欠佳的拒绝。用气态源MOCVD法沉积一些功能金属氧化物薄膜,拒绝所搭配的金属有机物不应在低的蒸气力下具备低的分子稳定性,以防止运送过程中的分解成。然而,由于一些功能金属氧化物的组分简单,元素无法制备出有气态MO源和有较高蒸气力的液态MO源物质,而蒸气太低、热稳定性劣的MO源先体,不有可能通过钹泡器(bubbler)由载气气体输运到反应室。  然而使用液态源运送的方法,是目前国内外研究的最重要方向。

使用将液态源送到汽化室获得气态源物质,再行经过流量掌控送到反应室,或者必要向反应室流经液态先体,在反应室内汽化、沉积。这种方式的优点是修改了源运送方式,对源材料的拒绝减少,便于构建多种薄膜的交错沉积以取得超强品格结构等。  三、MOCVD技术的优缺点  MOCVD技术在薄膜晶体生长中具备独有优势:  1、能在较低的温度下制取高纯度的薄膜材料,增加了材料的热缺失和本征杂质含量;  2、能超过原子级精度掌控薄膜的厚度;  3、使用质量流量计易于控制化合物的组分和掺入量;  4、通过气源的较慢无死区转换,可灵活性转变反应物的种类或比例,超过薄膜生长界面成份变异。

构建界面平缓;  5、能大面积、均匀分布、低重复性地已完成薄膜生长。


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